独家专访：Aledia发布3D Nanowire LED，外部量子效率达32%
创立于2011年的法国厂商Aledia成功开发新技术，利用CMOS晶圆制程与设备即可在200 / 300 mm的硅晶圆上生长3D氮化镓（GaN）LED。Aledia是一家自知名科研机构CEA-Leti独立出来的新创公司，正处于技术革新的前沿。公司透过优秀的研发与创新能力，历经十年的努力，终于提出3D Nanowire LED技术，有望重新塑造显示产业的未来。该技术能大幅减少Micro LED显示的成本，将有助于提升Micro LED在各式显示应用的普及率。
TrendForce有幸于Touch Taiwan 2024期间专访Aledia的销售长Felix Marchal与产品经理Eric Butaud，分享公司进展与未来目标。Aledia于Touch Taiwan 2024首次展出三种产品。首先，160x160μm的2D LED结合CMOS驱动电路，应用于分区数2,000以上的主动式驱动背光市场。此外，Aledia在单晶3D Nanowire LED技术取得重大突破，其中蓝光Micro LED的外部量子效率（EQE）达32%，最小可用于芯片尺寸3.5μm的产品；透过此技术，厂商可在TFT背板上进行芯片巨量转移与色转换等制程来制造Micro LED显示产品。
销售长Marchal表示，160x160μm的3D Nanowire RGB LED目前有两种解决方案，分别为1） 结合CMOS驱动电路搭配被动式驱动背板方案与2）无须CMOS驱动电路搭配TFT基板拼接方案，产品目标应用为≤P0.7超小间距显示屏。
针对Micro LED显示在巨量转移、修复与背板制程面临技术瓶颈和成本居高不下等挑战，Aledia推出160x160μm 3D Nanowire LED，将RGB三色整合于单一LED芯片。该产品可直接接合到双层PCB，无须使用巨量转移和侧边镀导线LTPS技术。
Aledia在现场也展示了300mm Nanowire Micro LED硅晶圆，其中Nanowire Micro LED的直径仅有1μm。Marchal最后也表示，Aledia看出整体市场与厂商每年都有不同进展。因此，公司对Micro LED显示市场发展持乐观态度。基于对顾客需求的深入了解，Aledia将为市场提供更多有效解决方案。
(文：Joanne / TrendForce）
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