国星半导体公布一项名为“一种集成式立体Micro LED及其制作方法”的发明专利
5月17日，国星半导体公布了一项名为“一种集成式立体Micro LED及其制作方法”的发明专利，该专利已进入实质审查阶段。图片来源：国家知识产权局
发明专利公开了一种集成式立体Micro LED及其制作方法，所述Micro LED包括导电衬底、阻挡层、外延层、透明导电层、保护层、遮挡层、第一电极和第二电极。发明在图型化的导电衬底上形成若干个Micro LED小面积的外延层，利用导电衬底上下电性倒通的特性，省去激光剥离衬底的问题，在非图型区域形成透明导电层将若干个的外延层形成导电连接，形成阵列模式，同时配合第一电极和第二电极，实现Micro LED的集成，解决了巨量转移的问题。
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