国星半导体公开一种紫外LED芯片及其制作方法
佛山市国星半导体技术有限公司公开了一种紫外LED芯片及其制作方法,所述芯片包括衬底、第一半导体层、有源层、开口层、第二半导体层,所述第一半导体层设置在衬底上,所述有源层设置在第一半导体层上,所述开口层设置在有源层上,所述开口层设置在有源层上,所述第二半导体层设置在开口层上;所述开口层包括InxGa(1x)N层、AlyGa1yN层和GaN层,所述InxGa(1x)N层设置在有源层上,所述AlyGa1yN层设置在InxGa(1x)N层和GaN层之间;所述第二半导体层设有孔洞,所述孔洞从第二半导体层刻蚀至开口层,所述孔洞内填充有反射材料,所述反射材料形成反射层。 本发明开口层与反射层形成不规则导光柱,以减少了第二半导体层对紫光的全反射,提高芯片的出光效率。
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