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佛山市国星半导体技术有限公司公开了一种紫外LED芯片及其制作方法，所述芯片包括衬底、第一半导体层、有源层、开口层、第二半导体层，所述第一半导体层设置在衬底上，所述有源层设置在第一半导体层上，所述开口层设置在有源层上，所述开口层设置在有源层上，所述第二半导体层设置在开口层上;所述开口层包括InxGa(1x)N层、AlyGa1yN层和GaN层，所述InxGa(1x)N层设置在有源层上，所述AlyGa1yN层设置在InxGa(1x)N层和GaN层之间;所述第二半导体层设有孔洞，所述孔洞从第二半导体层刻蚀至开口层，所述孔洞内填充有反射材料，所述反射材料形成反射层。 本发明开口层与反射层形成不规则导光柱，以减少了第二半导体层对紫光的全反射，提高芯片的出光效率。
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