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这一发明涉及发光二极管技术领域，具体涉及一种紫外LED外延结构及其制备方法和应用。所述紫外LED外延结构从下向上依次包括衬底、缓冲层、非故意掺杂层、N型掺杂层、量子阱发光层、P型电子阻挡层和P型AlGaN层;所述N型掺杂层从下向上依次包括第一NAlaGa1aN层、第二NAlbGa1bN层、第三NAlcGa1cN层和第四NAldGa1dN层。 该发明提供一种新型的N型掺杂层结构，该结构可以有效的调节电子的迁移效率，提升了电子和空穴在MQW区域分布的均衡性，有效提高了电子和空穴的复合几率，显著提升了内量子效率，极大的提高了发光效率。
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