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近日，乾照光电的4项LED专利有最新动态。
其中，“一种LED外延结构”专利获得授权，授权公告号：CN220121867U，公告日12月1日。 该实用新型专利提供了一种LED外延结构，所述N型半导体层至少包括三个N型半导体子层，且至少两个所述N型半导体子层的N型掺杂浓度不一致。进一步地，在所述N型半导体层中，靠近所述衬底一侧的N型半导体子层为N型半导体底层，靠近所述有源层一侧的N型半导体子层为N型半导体顶层，其余的N型半导体子层为N型半导体中间层；
至少一N型半导体中间层的N型掺杂浓度低于所述N型半导体底层和/或N型半导体顶层的N型掺杂浓度。使得所述N型半导体层的N型N型掺杂浓度呈高低高的阶梯式分布结构，该结构能够对高压静电起到缓冲的作用，降低了高压静电的破坏力，提升ESD性能，同时避免因有源层的N型掺杂降低而影响ESD性能。 乾照光电还公布了“一种红光MiniLED外延结构、芯片及其制作方法”的专利。专利摘要显示，该发明提供一种红光MiniLED外延结构、芯片及其制作方法，其中MiniLED外延结构包括：堆叠结构，堆叠结构包括依次层叠的第一型半导体层、第一界面层、第一波导层、有源区、第二波导层、第二界面层及第二型半导体层，其中，第一界面层可避免第一型半导体层的掺杂剂扩散导致第一型限制层及第一波导层界面粗化； 第二界面层可避免第二型半导体层的掺杂剂扩散导致第二型限制层及第二波导层界面粗化；同时还可避免第一型半导体层和第二型半导体层的掺杂剂扩散至有源区形成非辐射复合中心，导致可靠性降低的问题；且第一界面、第一波导层、第二波导层及第二界面层皆包括无掺杂的半导体材料层，可有效提升有源区的晶体质量，进而提高内量子效率及光输出功率。 另外，乾照光电还公布了两个光宇垂直结构LED新芯片及其制作方法。
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