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尽管基于AlGaN的UV- B发光二极管(UV- B LEDs)在光疗、UV固化、植物生长和分析技术等各种应用中具有相当大的潜力，但由于发光效率低，其开发仍在进行中。 一团队研究采用基于水平反应器的金属-有机化学气相沉积(MOCVD)技术，提出了一种新的外延生长机制，以有效控制AlGaN纳米棒结构上的AlGaN多孔(MWs)的高度和厚度。通过调节H2载气流速，可以控制生长边界层的厚度，成功地将AlGaN和p-AlGaN层从基质中分离出来。 阴极发光(CL)测量证实了核壳AlGaN量子阱的稳定性，它是一种高度稳定的非极化结构，在各种注入电流下波长峰几乎保持不变。此外，透射电子显微镜(TEM)提供了明确的分化证据，突出了275 nm的AlGaN核心和295 nm的AlGaN壳结构的不同形成。与传统的AlGaN结构相比，具有这些整流特性的AlGaN MW结构不仅显著提高了电致发光(EL)峰值强度，而且泄漏电流也大大降低。 新提出的生长机制和先进的非极化核壳AlGaN结构有望成为大幅提高下一代高效UV LED效率的绝佳替代方案。
来源：行家说UV综合整理
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