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近期，兆驰半导体公布了两项Micro LED相关专利： “一种Micro LED的封装方法”专利处于实质审查阶段。该专利解决了现有技术中在对Micro LED进行封装时，由于热胀冷缩原理可能会导致LED芯片不在同一水平面上，使得LED芯片发出的光达不到预期效果，从而导致该颗像素点无法使用，降低了产品良率的技术问题。
图片来源：国家知识产权局
“一种Micro LED外延片及其制备方法、LED芯片”专利进入授权阶段。本发明中的Micro LED外延片，通过采用AlNbN作为第一缓冲子层材料使得具有更小的晶格失配度，能更好的起到缓冲过渡的作用，可以降低因晶格失配而产生的位错，从而提高外延层生长的晶体质量。 此外，AlONbN具有很低的内应力，采用AlONbN作为第二缓冲子层能够调节外延层的翘曲，解决了现有技术中的缺少一种满足Micro LED显示需要求的位错密度低、晶体质量高、发光效率高的Micro LED外延片问题。
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