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国星光电主要从事电子元器件研发、制造与销售，主要产品分为LED外延片及芯片产品、LED封装及组件产品、集成电路封测产品及第三代化合物半导体封测产品等。 据悉，SiC和GaN等第三代半导体凭借高频率、高温稳定性和低损耗特性，在新能源汽车、光储充、工业电源等高压高功率应用领域不断开拓，发展前景光明。在此背景下，国星光电早在2019年就成立了第三代半导体小组，目前已经整合了总部研究院、风华芯电（国星光电控股子公司）及国星半导体的第三代半导体业务团队，未来将在第三代半导体外延、功率芯片封装及器件领域持续发力。 目前，在第三代半导体领域，国星光电已完成GaN基功率器件外延片的产品开发，正在全面发力第三代半导体封测技术，推出了低杂感SiC封装系列产品、集成化GaN-IC产品，其中SiC SBD产品已获AEC-Q101车规级认证。 产品方面，具体来看，国星光电SiC产品包括SiC SBD系列，SiC MOS系列，NSiC功率模块NS34m、NS62m、NSEAS，应用场景包括光伏逆变、工业电源、充电桩、轨道交通及智能电网、UPS不间断电源等工业领域；其GaN产品包括NSGaN系列、E-mode系列、Cascode系列等，适用于LED驱动电源、适配器、插座充电面板等消费类领域。 近一年内，国星光电GaN业务布局成果持续产出。2023年9月，国星光电联合佛山照明智达电工科技有限公司开发的基于第三代半导体GaN应用墙插快充产品正式面世。据介绍，该产品采用了国星光电33W GaN技术，该技术主要依托DFN5*6 NSGaN 器件搭建的GaN墙插电源，进一步提升了产品的充电效率及安全性能。 今年2月，国星光电公布一项名为“一种氮化镓器件驱动芯片及驱动方法“的专利。该专利提供的GaN器件驱动芯片，可同时兼容Cascode结构的GaN器件和E-mode型的GaN器件，无需针对Cascode结构的GaN器件和E-mode型的GaN器件分别设计驱动芯片，降低了成本。 而在5月28日，国星光电在互动平台表示，风华芯电生产的GaN器件产品，目前已量产接单供客户使用，意味着国星光电GaN产品系列有望进一步扩充。
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