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中科潞安发明专利涉及一种垂直结构的深紫外LED外延片及其生长方法，所述垂直结构的深紫外LED外延片包括衬底(1)，衬底(1)上设有缓冲层(2)，缓冲层(2)上设有非掺杂uGaN激光剥离层(3)，非掺杂uGaN激光剥离层(3)上设有pGaN外延层(4)，pGaN外延层(4)设有pAlxGa1xN缓冲层(5)，其中x介于1%20%之间，pAlxGa1xN缓冲层(5)上设有pAlyGa1yN析出层(6)，其中y由20%→60%渐变，pAlyGa1yN析出层(6)上设有pAlzGa1zN势垒层(7)，其中z介于40%80%之间，pAlzGa1zN势垒层(7)上设有多量子阱层(8)，多量子阱层(8)上设有nAlGaN层(9)。 其解决了现有的深紫外LED外延结构因制作垂直结构无法实现激光剥离的问题，同时解决了传统深紫外倒装芯片出光效率低、电流拥堵、散热差、寿命低的问题。
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